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실리콘 마이크로 니들 스탬프 및 그 제조방법
专利权人:
发明人:
YOO, DONG EUNKR,유동은,KIM, YOUNG SUKR,김영수,NO, KIL SUNKR,노길선,KIM, KWANG HEEKR,김광희
申请号:
KR1020150146787
公开号:
KR1016223880000B1
申请日:
2015.10.21
申请国别(地区):
KR
年份:
2016
代理人:
摘要:
The present invention relates to a method for producing a micro-needle stamp having a concave part with high kurtosis. The method comprises the following steps: preparing a silicon substrate producing a hard mask pattern on the silicon substrate firstly etching the silicon substrate to form a first internal space in the silicon substrate exposed to the hard mask pattern secondly etching the silicon substrate exposed to the hard mask pattern to form a second internal space in a lower side of the first internal space to have a narrower cross-sectional area than the first internal space. The step of firstly etching the silicon substrate differs from the step of secondly etching the silicon substrate with regard to at least one of process conditions such as relative ratio of etching gas, process pressure, and source/bias power.COPYRIGHT KIPO 2016본 발명은 첨예도가 높은 오목부를 가지는 마이크로 니들 스탬프를 구현하기 위한 제조방법으로서, 실리콘 기판을 준비하는 단계 상기 실리콘 기판 상에 하드마스크 패턴을 형성하는 단계 상기 하드마스크 패턴에 노출된 상기 실리콘 기판을 식각하는 단계로서, 상기 실리콘 기판 내에 제 1 내부공간을 형성하도록 상기 실리콘 기판을 제 1 차 식각하는 단계 및 상기 하드마스크 패턴에 노출된 상기 실리콘 기판을 식각하는 단계로서, 상기 제 1 내부공간의 하부에 상기 제 1 내부공간 보다 횡단면적이 좁은 제 2 내부공간을 형성하도록 상기 실리콘 기판을 제 2 차 식각하는 단계를 포함하되, 상기 실리콘 기판을 제 1 차 식각하는 단계와 상기 실리콘 기판을 제 2 차 식각하는 단계는 식각가스의 상대적 비율, 공정압력 및 소스/바이어스 파워 중에서 적어도 어느 하나의 공정조건이 서로 다른 것을 특징으로 한다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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