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一种基于高温氢气浸泡技术的双极型器件低剂量率增强效应加速试验方法
- 专利权人:
- 中国空间技术研究院;哈尔滨工业大学;石家庄天林石无二电子有限公司
- 发明人:
- 李鹏伟,李兴冀,赵玉玲,刘艳秋,刘广桥,刘超铭,周捧娟,孙毅,杨剑群,朱伟娜,何世禹
- 申请号：
- CN201410136726.8
- 公开号：
- CN103869199B
- 申请日:
- 2014.04.04
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 张宏威
- 摘要：
- 一种基于高温氢气浸泡技术的双极型器件低剂量率增强效应加速试验方法，涉及电子技术领域。本发明是为了解决现有的地面实验采用实际空间环境的低剂量率评估电子元器件进行抗辐射能力，导致辐照时间长的问题。本发明所述的采用TCAD软件模拟氢气气氛下的双极型器件电性能及电离辐射缺陷的变化规律，根据氢气气氛中双极型器件内的氧化物电荷与界面态密度，获得氢气浸泡的时间与氢气浓度，通过氢气浸泡、加热，加速双极型器件内部的电离辐射缺陷产生，从而起到加速低剂量率增强效应评价的作用，达到用高温氢气浸泡条件下高剂量率辐照双极型器件与低剂量率条件下辐照双极型器件的辐照时间相比所用的时间短的目的。它可用于航天电子系统中。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
