半導体粒子焼結体を含む薄膜ＮＴＣサーミスタ及びその製造方法
- 专利权人:
- 帝人株式会社
- 发明人:
- 添田 淳史,池田 吉紀
- 申请号：
- JP20160134285
- 公开号：
- JP2018006644(A)
- 申请日:
- 2016.07.06
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】本発明は、様々な基材上に低コストで形成することができ、かつ安定的なＮＴＣサーミスタ特性を有する薄膜ＮＴＣサーミスタを提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、半導体膜、及び少なくとも２つの電極を基材上に含む薄膜ＮＴＣサーミスタであって、前記半導体膜が半導体粒子焼結体であり、かつ電子又はホールの熱励起に必要な活性化エネルギーが５０ｍｅＶ以下である不純物準位を前記半導体粒子焼結体に形成することができるドーパントの濃度が、前記半導体粒子焼結体中に１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である、薄膜ＮＴＣサーミスタに関する。【選択図】なし
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
