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一种碳纳米管、铜复合电磁屏蔽膜及其制备方法
- 专利权人:
- 湖南深泰虹科技有限公司
- 发明人:
- 刘夕岩,刘志洪,李升平,赵成海,刘波
- 申请号：
- CN201510491652.4
- 公开号：
- CN105150624B
- 申请日:
- 2015.08.12
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 张启炎
- 摘要：
- 一种碳纳米管、铜复合电磁屏蔽膜及其制备方法，包括五层，中心层为铜箔，铜箔两面为碳纳米管膜，碳纳米管膜外面为树脂层，总厚度为7‑14um。制备方法步骤如下：将溶解有二茂铁的正已烷溶液泵入反应炉的沸腾床上，反应炉内温度在1100‑1200℃，二茂铁在高温的作用下分解出铁原子，正已烷在铁原子的催化和高温的作用下分解出碳原子，附着于铜箔的两面，然后在碳纳米管膜上覆盖树脂层，本发明保证了在较薄厚度情况下复合电磁屏蔽膜的机械性，能解决使用液晶聚酯薄膜制备时，绝缘层厚度无法做薄的问题；本发明由于采用了液晶聚酯，所以介电常数较低，结合碳纳米管高导热、高韧性、低密度的优点与金属材料密度高、易生产的性能。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
