高吸收低反射的电磁屏蔽材料及其制备方法
- 专利权人:
- 大连理工大学;常熟华尚新材料科技有限公司
- 发明人:
- 宾月珍,胡云平,唐萍
- 申请号：
- CN201710801682.X
- 公开号：
- CN107627678A
- 申请日:
- 2017.09.07
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 胡景波
- 摘要：
- 本发明涉及电磁屏蔽材料领域，特别是一种高吸收低反射的电磁屏蔽材料及其制备方法。该材料包括至少一层多孔结构层或空气层和至少一层导电性好的吸收层。与现有技术相比，本发明提供的上述屏蔽材料的制备方法简单可行，结构设计合理，屏蔽效能优越，可通过调节多孔结构中间层的厚度及吸收层的性能制备出屏蔽性能高达110dB的屏蔽材料，可满足电磁屏蔽材料质轻、宽频、高屏蔽性能的需求，在民用、军工、航天航空及高精尖领域应用前景广泛。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
