The present invention relates to a capacitive fingerprint sensing device comprising a semiconductor substrate； and an array of sensing elements formed on the semiconductor substrate. Each of the sensing elements comprises a protective dielectric top layer；a sensing structure arranged underneath the top layer； and a charge amplifier connected to the sensing structure. The charge amplifier comprises a negative input connected to the sensing structure；a positive input；an output providing a sensing signal；a feedback capacitor； and a sense transistor having a gate constituting the negative input. The sense transistor is formed in an insulated well in the semiconductor substrate. The fingerprint sensing device further comprises excitation signal providing circuitry connected to the positive input of the charge amplifier and the well for changing electric potentials of the sensing structure and the well, to thereby reduce the influence of parasitic capacitances in the sensing element.La présente invention concerne un capteur d'empreintes digitales capacitif comprenant un substrat semi-conducteur； et un réseau d'éléments de détection formé sur le substrat semi-conducteur. Chacun des éléments de détection comprend une couche supérieure diélectrique protectrice； une structure de détection agencée sous la couche supérieure； et un amplificateur de charge connecté à la structure de détection. L'amplificateur de charge comprend une entrée négative connectée à la structure de détection； une entrée positive； une sortie fournissant un signal de détection； un condensateur de rétroaction； et un transistor de détection dont une grille constitue l'entrée négative. Le transistor de détection est formé dans un puits isolé du substrat semi-conducteur. Le dispositif de détection d'empreintes digitales comprend de plus une circuiterie de production de signal d'excitation connectée à l'entrée positive de l'amplificateur de charge et au puits pour changer les potentiels électriques de la struc
