The present invention suppresses a phenomenon in which, in an x-ray imaging device which is provided with a thin-film transistor having a semiconductor active layer produced from an oxide semiconductor and in which an insulating film that is in contact with the semiconductor active layer is a silicon oxide film, the threshold voltage of the thin-film transistor shifts in a negative direction by a total dose effect. A thin-film transistor (10) is provided with a first gate electrode (28) and a second gate electrode (40). A storage capacitor (26) is connected to the thin-film transistor (10). When an electric charge stored in the storage capacitor (26) is read out, positive voltage is applied to the first gate electrode (28) and the second gate electrode (40). When the electric charge stored in the storage capacitor (26) is not read out, negative voltage is applied to the first gate electrode (28) and the second gate electrode (40).Linvention permet de supprimer un phénomène selon lequel, dans un dispositif dimagerie par rayons x qui comprend un transistor à film mince doté dune couche active semi-conductrice produite à partir dun semi-conducteur à oxyde, et dans lequel un film isolant qui est en contact avec la couche active semi-conductrice est un film doxyde de silicium, la tension de seuil du transistor à film mince se décalant dans une direction négative par un effet dose totale. Un transistor à film mince (10) est pourvu dune première électrode de grille (28) et dune seconde électrode de grille (40). Un condensateur de stockage (26) est connecté au transistor à couche mince (10). Lorsquune charge électrique stockée dans le condensateur de stockage (26) est lue, une tension positive est appliquée à la première électrode de grille (28) et à la seconde électrode de grille (40). Lorsque la charge électrique stockée dans le condensateur de stockage (26) nest pas lue, une tension négative est appliquée à la première électrode de grille (28) et à la seconde électrode d
