您的位置: 首页 > 农业专利 > 详情页

METHOD FOR GROWING PLUM STANDARD ONE-YEAR SEEDLINGS USING MECHANICAL TECHNIQUES AND CHEMICAL (SYNTHETICAL) PREPARATIONS
专利权人:
SYDORENKO INSTITUTE OF IRRIGATED HORTICULTURE OF NATIONAL ACADEMY OF AGRARIAN SCIENCES OF UKRAINE
发明人:
Kinash Halyna Anatoliivna
申请号:
UA201206029
公开号:
UA75644U
申请日:
2012.05.18
申请国别(地区):
UA
年份:
2012
代理人:
摘要:
A method for growing plum one-year seedlings in a nursery using mechanical techniques and chemical (synthetical) preparations, which comprises mechanical removal of upper leaves at a height of occulants of 85-90 cm, which combines an operation of removal of the top (apical) leaves spraying buds, arranged below, with an aqueous solution of arboline, which contributes to forming new lateral shoots (6-8) with fruit buds with wide branch union (76-83°).Способ выращивания однолетних саженцев сливы в рассаднике с использованием механических приемов и химических (синтетических) препаратов, который включает механическое удаление верхних листьев при высоте оккулянтов 85-90 см, который объединяет операцию удаления верхушечных (апикальных) листьев с опрыскиванием почек, размещенных ниже, водным раствором арболина, что способствует образованию новых боковых побегов (6-8) с плодовыми почками с широкими углами их отхождения (76-83°).Спосіб вирощування однорічних саджанців сливи у розсаднику з використанням механічних прийомів і хімічних (синтетичних) препаратів, який включає механічне видалення верхніх листків при висоті окулянтів 85-90 см, який поєднує операцію видалення верхівкового (апікального) листя з обприскуванням бруньок, розміщених нижче, водним розчином арболіну, що сприяє утворенню нових бічних пагонів (6-8) з плодовими бруньками з широкими кутами їх відходження (76-83°).
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

意 见 箱

匿名:登录

个人用户登录

找回密码

第三方账号登录

忘记密码

个人用户注册

必须为有效邮箱
6~16位数字与字母组合
6~16位数字与字母组合
请输入正确的手机号码

信息补充