Embedded Microsystems Bremen GmbH (EMB) Applikationszentrum für Mikrosystemtechnik
发明人:
Walter Lang,Kai Burdorf
申请号：
DE102011051140
公开号：
DE102011051140A1
申请日:
2011.06.17
申请国别(地区):
DE
年份:
2012
代理人:
摘要：
Die Erfindung bezieht sich auf einen Strömungswiderstand (10, 48), umfassend einen Strömungskanal (32, 50) mit einer Einlassöffnung (34, 56) und einer Auslassöffnung (38, 58) sowie eine zumindest bereichsweise Wandung des Strömungskanals (32, 50) bildende Membran (22), wobei ein Strömungsquerschnitt und/oder eine Länge des Strömungskanals (32, 50) durch Ausübung von Druck auf die Membran (22) variierbar ist. Um einen Strömungswiderstand mit temperaturstabilisierter Flussrate zur Verfügung zu stellen ist vorgesehen, dass der Strömungswiderstand (10, 48) eine Kavität (16) zur Aufnahme eines Mediums mit positivem Temperaturkoeffizienten aufweist, wobei die Membran (22) gleichzeitig Wandung der Kavität (16) sowie zumindest bereichsweise Wandung des Strömungskanals (32, 50) ist.The present invention relates to a flow resistance (10, 48), comprising a flow channel (32, 50) with an inlet opening (34, 56) and an outlet opening (38, 58) as well as an at least regionally wall of the flow channel (32, 50) which forms the membrane (22), wherein a flow cross section and / or a length of the flow channel (32, 50) by the exertion of pressure on the membrane (22) can be varied. In order with a flow resistance to provide for flow rate, it is provided that the flow resistance (10, 48) a cavity (16) for receiving a medium with a positive temperature coefficient, wherein the membrane (22) at the same time the wall of the cavity (16) as well as at least in some regions of the wall of the flow channel (32, 50) is.
