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硅辐射探测器封装结构
专利权人:
常州市华诚常半微电子有限公司
发明人:
吴佳,张红,孙瑞峰
申请号:
CN201520000734.X
公开号:
CN204303820U
申请日:
2015.01.04
申请国别(地区):
中国
年份:
2015
代理人:
姜佩娟
摘要:
本实用新型涉及印制电路板的技术领域,尤其是一种硅探测器封装结构,包括依次连接的前覆盖层、中间主体层和后覆盖层,中间主体层一面内嵌一个八边形槽,另一面设有孔,中间主体层的两面分别设有不少于一个键合压块,中间主体层的两面分别设有不少于一个电极引出端,前覆盖层和后覆盖层上分别设有与中间主体层上键合压块位置相对应的焊盘切口和与电极引出端位置相对应的引出电缆切口。前覆盖层、中间主体层和后覆盖层上分别设有不少于3个安装孔。本实用新型的硅探测器封装结构既是一块PCB板又替代了一个封装外壳,有利于缩小体积,减轻重量,可靠性好,能满足航天产品的要求,特别适用于传感器、探测器的封装壳体。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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