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シリコン基板の表面加工方法
- 专利权人:
- 第一工業製薬株式会社
- 发明人:
- 中川 和典,氣賀澤 繁,橋本 賀之
- 申请号：
- JP20170049968
- 公开号：
- JP6129455(B1)
- 申请日:
- 2017.03.15
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】 安定的に良好なテクスチャーを基板表面に均一に形成することができ、通常の使用温度である６０℃〜９５℃の領域において添加剤成分が揮発することもなく、遊離砥粒方式で製造されたシリコン基板、固定砥粒方式で製造されたシリコン基板のどちらのシリコン基板にも適用可能なシリコン基板の表面加工方法を提供する。【解決手段】 （Ａ）アルカリ成分、（Ｂ）ホスホン酸誘導体又はその塩、及び（Ｃ）カルボキシル基、スルホ基、塩を形成したこれらの基、及びカルボキシメチル基からなる群より選ばれた少なくとも１種の基を有する化合物を含有するエッチング液にシリコン基板を浸漬して、基板表面に凹凸構造を形成させる工程を含むシリコン基板の表面加工方法。【選択図】 なし
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
