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表面加工方法、構造体の製造方法
专利权人:
学校法人 名古屋電気学園;浜松ホトニクス株式会社
发明人:
岩田 博之,河口 大祐
申请号:
JP20160156702
公开号:
JP2018023990(A)
申请日:
2016.08.09
申请国别(地区):
日本
年份:
2018
代理人:
摘要:
【課題】ブリスタリングを利用して加工対象物の表面を効率的に加工することができる表面加工方法、及び構造体の製造方法を提供する。【解決手段】まず、Siウェハ200に対してイオン注入を行うことにより、Siウェハ200にイオン注入層230を形成する。続いて、Siウェハ200の内部にレーザ光の焦点140を合わせてレーザ光を照射して、Siウェハ200のうちレーザ光の照射部分を局所的に加熱する。これにより、Siウェハ200にブリスタリング250を発生させることにより、Siウェハ200の表面210に構造体260として、表面210の一部が隆起した隆起構造を形成する。この方法によると、Siウェハ200の内部を局所的に急速かつ容易に加熱することができるので、ブリスタリング250を利用してSiウェ
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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