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磁共振摄像装置、高频磁场照射方法以及程序
- 专利权人:
- 株式会社日立医疗器械
- 发明人:
- 金子幸生,五月女悦久,尾藤良孝,竹内博幸,高桥哲彦,羽原秀太,大竹阳介
- 申请号：
- CN201280041946.1
- 公开号：
- CN103874457A
- 申请日:
- 2012.07.27
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明的磁共振摄像装置在将摄像时间的延长抑制为最小限的同时，使任意轴方向、任意位置的摄像截面的因RF匀场造成的B1不均匀的降低效果最大。只测量预先确定的一个方向的数个B1分布，根据该B1分布数据，针对任意方向、任意位置的摄像截面，分别计算使B1不均匀降低效果最大的高频磁场条件。例如，在AX方向上只测量数个B1分布的基础上，根据基于与摄像截面接近的2个B1分布计算出的高频磁场条件进行内插，从而求出对AX方向的任意位置的摄像截面最优的高频磁场条件，只提取B1分布中的与摄像截面的交叉区域内的B1值，使用它来求出对SAG、COR方向的任意位置的摄像截面最优的高频磁场条件。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
