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磁共振摄像装置、照射磁场测量方法
专利权人:
株式会社日立医疗器械
发明人:
伊藤公辅,泷泽将宏,黑川真次
申请号:
CN201180053090.5
公开号:
CN103200868B
申请日:
2011.10.13
申请国别(地区):
CN
年份:
2015
代理人:
摘要:
本发明提供一种可在短时间内高精度地测量RF发射线圈的B1分布的MRI装置。因此,MRI装置的摄像单元具备:包括RF照射单元的前脉冲的施加、和自施加上述前脉冲起的经过时间(TI)不同的多个信号获取序列的B1分布测量序列。信号获取序列采用翻转角小的脉冲作为RF脉冲,并在前脉冲后的纵向驰豫结束之前被执行。运算单元采用由多个信号获取序列分别得到的TI不同的图像数据,来计算RF照射单元的B1分布。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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