ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.;DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
发明人:
CHIOU, NAN-RONG,ISLAM, MOHAMMAD T.,JACOB, GEORGE C.
申请号：
FR20180053432
公开号：
FR3065385(A1)
申请日:
2018.04.19
申请国别(地区):
法国
年份:
2018
代理人:
摘要：
La présente invention fournit un tampon de polissage mécano-chimique (CMP) pour polir, par exemple, un substrat semi-conducteur, ayant une ou plusieurs fenêtres de détection de point limite (fenêtres) qui à une épaisseur de 2 mm auraient une coupure UV à une longueur d'onde de 325 nm ou inférieure, lesquelles sont le produit d'un mélange réactionnel de (A) de 30 à 56% en masse d'un ou plusieurs diisocyanates ou polyisocyanates cycloaliphatiques avec (B) de 43 à 69,9999 % d'un mélange de polyols de (i) un diol polymère ayant une masse moléculaire moyenne de 500 à 1 500, tel qu'un carbonate diol pour des fenêtres dures et un polyéther polyol pour des fenêtres souples et de (ii) un triol ayant une masse moléculaire moyenne de 120 à 320 dans un rapport massique de (B)(i) diol polymère à (B)(ii) triol de 1,6:1 à 5,2:1, et d'un catalyseur, de préférence d'une amine secondaire ou tertiaire ou de néodécanoate de bismuth, tous les pourcents en masse rapportés à la masse totale de solides
