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一种事件相关电位源定位方法
专利权人:
西南大学
发明人:
雷旭,赵治瀛
申请号:
CN201210282893.4
公开号:
CN102743166A
申请日:
2012.08.09
申请国别(地区):
CN
年份:
2012
代理人:
摘要:
本发明公开了一种事件相关电位源定位方法,包括以下步骤:事件相关电位提取,按刺激或反应对单试次的脑电进行叠加平均,得到待源定位的事件相关电位数据;假设θ为待求解的源的电位强度,每一项对应皮层上的一个位置,根据每项对应位置的国际自动解剖标记号将θ分为k类,分别对应k个磁共振静息态标准网络,按照静息态标准网络,构建θ的先验分布;计算每个网络的强度参数γi,头表记录噪声的协方差强度α;根据以上得到的α,得出皮层的源分布:θ=α(αLTL+C-1)-1LTY。本发明利用了功能磁共振的静息态脑网络的空间分布作为先验信息,成像结果有效整合了脑电的高时间分辨率和功能磁共振的高空间分辨率。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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