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一种多维-多级孔SiO2/C复合粉体及其制备方法
- 专利权人:
- 武汉科技大学
- 发明人:
- 赵雷,陈辉,方伟,梁峰,杜星,何漩,王玺堂
- 申请号：
- CN201410447921.2
- 公开号：
- CN104192829B
- 申请日:
- 2014.09.04
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 张火春
- 摘要：
- 本发明涉及一种多维-多级孔SiO2/C复合粉体及其制备方法。其技术方案是：将稻壳置于盐酸、硫酸或草酸溶液中，90~100℃水浴1~2h，过滤；水清洗稻壳至清洗液的pH值为6~8，烘干，再加入氯化锌的水溶液中，放置24~72h，在80~100℃条件下保温36~144h，得到预处理稻壳；将预处理稻壳加入到含镍的有机配合物的溶液中，放置20~24h，在80~100℃条件下保温24~30h；然后在800~1300℃条件下于氩气或氩气气氛中保温3~4h，制得多维-多级孔SiO2/C复合粉体。本发明成本低廉、工艺简单、环境友好、产品附加值高和适用于工业化生产；用该方法制备的多维-多级孔SiO2/C复合粉体具有一维/三维复合、多维/多级孔原位形成、比表面大的特点。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
