一种封装用镀金钯键合铜线的生产工艺
- 专利权人:
- 上海铭沣半导体科技有限公司
- 发明人:
- 张志强,杨飞,马婷婷
- 申请号：
- CN201610435499.8
- 公开号：
- CN106086962A
- 申请日:
- 2016.06.06
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种用于半导体集成电路封装领域的镀金钯键合铜线的生产工艺，其工艺过程是将添加了微量元素的经过连续铸造技术的中心铜棒再经粗拉拔、退火、电镀钯层、精拉拔、退火、电镀金层和清洗而制成理化性能优良的镀金钯键合铜线。本工艺过程的特征是只经过一次粗拉拔和一次精拉拔工艺，并且在精拉拔到目标线径后再进行镀金工艺。经本发明的工艺生产的镀金钯键合铜线在拉制过程中断线率极低，镀钯层和镀金层结合性好，极大的提高了键合线的键合可靠性及稳定性。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
