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一种提高镉污染土壤上种植玉米质量的方法
- 专利权人:
- 中国农业科学院农业资源与农业区划研究所;农业部环境保护科研监测所
- 发明人:
- 范洪黎,宋正国,霍文敏,邹茸,王丽,迟克宇
- 申请号：
- CN201810783629.6
- 公开号：
- CN108901686A
- 申请日:
- 2018.07.17
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 蒋宏洋
- 摘要：
- 本发明创造提供了一种提高镉污染土壤上种植玉米质量的方法。在镉污染土壤上均匀间作玉米和超积累植物野生龙葵，玉米种植密度为2株/m2，野生龙葵种植密度为8株/m2；玉米、超积累植物生长过程中采用常规水肥管理。其中镉污染土壤中Cd含量范围为(1.59‑1.92)mg/kg；玉米品种为郑单958。本发明创造所述的方法成本低廉，易于推广，对环境无不良影响，收获的玉米各器官镉浓度显著下降，同时抑制玉米镉的地下部向地上部转运，减少玉米镉吸收效果十分显著，此方法生产的玉米籽粒Cd含量满足现行国家标准《GB2762‑2012食品中污染物限量》。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
