一种近红外硫化物长余辉发光材料及其制备方法与应用
- 专利权人:
- 广东工业大学
- 发明人:
- 彭国鑫,李杨,赵韦人,窦晓静,林晓卉
- 申请号：
- CN201910282347.2
- 公开号：
- CN110028958A
- 申请日:
- 2019.09.04
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种近红外硫化物长余辉发光材料,以ZnGa2S4为基材,基材中掺杂0.1~5.0mol%的Cr2O3,其结构式为=ZnGa2S4:xCr3+,x=0.1~5.0mol%。通过将硫化镓、硫化锌和氧化铬按照摩尔比为1:1:0.0004~0.025研磨混匀后放入反应容器中,在硫气氛中,于1100~1200℃下煅烧2~4小时,降温冷却,即得。本发明通过掺杂三价铬离子,实现了近红外长余辉发光,余辉发光峰位于740纳米发光峰的余辉衰减时间长达600s,可用做近红外光学活体动物成像荧光标记物,具有较大的应用前景。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
