一种Bi2+掺杂的近红外长余辉材料及其制备方法、应用
- 专利权人:
- 华南理工大学
- 发明人:
- 邱建荣,秦嬉嬉,李杨,吴达坤
- 申请号：
- CN201510502489.7
- 公开号：
- CN105062475A
- 申请日:
- 2015.08.14
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种Bi2+掺杂的近红外长余辉材料，基质材料为ASnO3，掺杂元素为Bi、M、N；其中A为Ca、Sr中的一种，M为Mo、Zr、Nb、Ti、Cr中的一种，N为Y、La中的一种；x的范围为0.1mol％～5mol％，y的范围为0.1mol％～5mol％，z的范围为0.1mol％～5mol％。本发明还公开了上述近红外长余辉材料的制备方法和应用。本发明还公开了上述近红外长余辉材料的制备方法。本发明的近红外长余辉材料发射出650-1000nm波段的近红外长余辉，其发射峰峰位于800nm附近，并都具备一定的余辉发光时间。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
