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一种表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体及其制备方法
专利权人:
温州医科大学
发明人:
林全愧,韩月梅,陈浩
申请号:
CN201410653445.X
公开号:
CN104382673B
申请日:
2014.11.17
申请国别(地区):
CN
年份:
2017
代理人:
摘要:
本发明涉及一种表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体及其制备方法。一种表面笼状聚倍半硅氧烷修饰人工晶状体的制备方法,包括以下工艺步骤:取干净的人工晶状体,并通过表面预处理获得化学活性表面;化学活性表面与含可反应性功能基团的POSS化学反应,获得表面接枝有笼状POSS的人工晶状体。本发明的优点是通过纳米笼状POSS修饰获得表面微纳复合结构,从而获得超疏水表面,抑制晶状体上皮细胞粘附,得到高生物相容性人工晶状体。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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