一种两性离子表面修饰的人工晶状体及其制备方法
- 专利权人:
- 温州医科大学
- 发明人:
- 林全愧,陈浩
- 申请号：
- CN201610766177.1
- 公开号：
- CN106362205A
- 申请日:
- 2016.08.29
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 一种两性离子表面修饰的人工晶状体及其制备方法。一种两性离子表面修饰的人工晶状体的制备方法，包括以下工艺步骤：通过硅氢化反应制备端基为烷氧基硅烷的两性离子；取干净的人工晶状体，通过表面预处理使其表面带上羟基基团；预处理后的人工晶状体浸没于端基为烷氧基硅烷的两性离子的溶液中进行表面处理，利用烷氧基硅烷的水解反应得到两性离子表面修饰的人工晶状体。本发明的优点是通过简便的方法对人工晶状体进行表面改性，获得具有良好亲水性的表面，避免了以往人工晶状体表面处理中所需要的复杂过程，得到高生物相容性人工晶状体。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
