The present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: preparing a semiconductor-on-insulator (SOI) substrate Forming a plurality of pixel-type image sensors on the SOI substrate using a stitching process Forming a polydimethylsiloxane (PDMS) layer on the plurality of pixel-type image sensors, and forming a stamp by removing at least a portion of the SOI substrate using a dicing-by-trench process Coupling a flexible substrate onto at least one side of the stamp And removing the PDMS layer that is part of the stamp and forming a scintillator in a region corresponding to the PDMS layer, a flexible semiconductor radiation detector implemented using the method, and A radiographic imaging device is provided.본 발명은 SOI(semiconductor-on-insulator) 기판을 준비하는 단계 스티칭(stitching) 공정을 이용하여 상기 SOI 기판 상에 복수개의 픽셀형 이미지 센서를 형성하는 단계 상기 복수개의 픽셀형 이미지 센서 상에 PDMS(polydimethylsiloxane)층을 형성하고, 선택적 식각(dicing-by-trench) 공정을 이용하여 상기 SOI 기판의 적어도 일부를 제거함으로써 스탬프를 형성하는 단계 상기 스탬프의 적어도 일면 상에 유연기판을 결합하는 단계 및 상기 스탬프의 일부인 상기 PDMS층을 제거하고, 상기 PDMS층과 대응되는 영역에 섬광체를 형성하는 단계를 포함하는, 플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법, 이를 이용하여 구현한 플렉서블 반도체 방사선 검출기 및 이를 포함하는 방사선 영상장치를 제공한다.
