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疎水化表面基板の製造方法
- 专利权人:
- 日本曹達株式会社
- 发明人:
- 肥高 友也,島田 幹也
- 申请号：
- JP20160510024
- 公开号：
- JPWO2015146127(A1)
- 申请日:
- 2015.03.23
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本発明は、プラスチック製、金属製、またはガラス製基板上に、密着性の優れた金属酸化物薄膜が形成し、さらに最終的に、表面を疎水化する方法を提供することを目的とする。プラスチック製、金属製、またはガラス製基板を、式（Ｉ）Ｍ（ＯＲ１）４（Ｉ）（式（Ｉ）中、Ｒ１は、炭素数４以上の炭化水素基を表し、Ｍは、チタン原子またはジルコニウム原子を表す。）で表される金属アルコキシドで処理し、さらに、式（ＩＩ）Ｒ２−Ｓｉ−Ｘ３（ＩＩ）（式中、Ｒ２は、無置換または置換基を有する炭素数１５以上の炭化水素基を表し、Ｘは、水酸基又は加水分解性基を表し、Ｘは同一であっても、相異なっていてもよい。）で表される有機シラン化合物で処理することにより、その基板表面を簡便に疎水化することができる。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
