A ReRAM-CMOS-based artificial retina device is disclosed. The artificial retina device according to an embodiment includes a plurality of photoreceptor cell circuits that output a plurality of first currents in response to a light signal, and a memristor at each corner in the form of a hexagonal pyramid. memristor) is connected, a plurality of horizontal cell circuits outputting a first average voltage of voltages according to the plurality of first currents, and a plurality of horizontal cell circuits in response to the magnitude of the current according to the first average voltage. A plurality of bipolar cell circuits that output a second current or a plurality of third currents, and a memristor connected to each corner in the form of a hexagonal pyramid, and the second voltages according to the plurality of second currents A plurality of amacrine cell circuits for outputting an average voltage or a third average voltage of voltages according to the plurality of third currents, and a fourth current or the third average voltage according to the second average voltage. And a ganglion cell circuit for generating a sustained responses current or a transient responses current, which is an action potential delivered to the optic nerve in response to the corresponding fifth current.ReRAM-CMOS 기반의 인공 망막 장치가 개시된다. 일 실시예에 따른 인공 망막 장치는, 광(light) 신호에 응답하여 복수의 제1 전류를 출력하는 복수의 광수용체 셀 회로(photoreceptor cell circuit)와, 육각뿔의 형태로 각 모서리에 멤리스터(memristor)가 연결되고, 상기 복수의 제1 전류에 따른 전압들의 제1 평균 전압을 출력하는 복수의 수평 셀 회로(horizontal cell circuit)와, 상기 제1 평균 전압에 따른 전류의 크기에 응답하여 복수의 제2 전류 또는 복수의 제3 전류를 출력하는 복수의 바이폴라 셀 회로(bipolar cell circuit)와, 육각뿔의 형태로 각 모서리에 멤리스터가 연결되고, 상기 복수의 제2 전류에 따른 전압들의 제2 평균 전압 또는 상기 복수의 제3 전류에 따른 전압들의 제3 평균 전압을 출력하는 복수의 아마크린 셀 회로(amacrine cell circuit)와, 상기 제2 평균 전압에 따른 제4 전류 또는 상기 제3 평균 전압에 따른 제5 전류에 응답하여 시신경에 전달되는 활동 전위인 지속적인 응답(sustained responses) 전류 또는 과도 응답(transient responses) 전류를 생성하는 신경절 셀 회로(ganglion cell circuit)를 포함한다.
