the present invention is a high-performance, high-resolution, large-area and large-scale expansion is possible to the X- ray detector or an image sensor and a method of manufacturing a single chip using a CMOS-based, single-chip CMOS-based X- ray method of manufacturing a detector or an image sensor with the step of preparing a substrate, on at least one surface of the substrate, ROIC (readout integrated circuits), vernier key overlay (overlay vernier key) and the alignment key (alignment key ) a first reticle which includes information on at least one side of the stage and the substrate to expose the edge of the single-chip areas of a plurality of the first shot by the stitching process by using the pixel and a row driver (low driver) information the second by the remaining area other than the border area of said single chip by using a reticle stitching process comprising a plurality of exposing the second shot, X-ray detector or an image sensor using a single-chip CMOS-based, including and it provides a method of manufacturing the same.본 발명은 고성능, 고 분해능, 대면적 및 대면적 확장이 가능한 CMOS기반의 단일칩을 이용한 X-선 검출기 또는 영상센서 및 그 제조방법을 위하여, CMOS기반의 단일칩을 이용한 X-선 검출기 또는 영상센서의 제조방법에 있어서, 기판을 준비하는 단계, 상기 기판의 적어도 일면 상에, ROIC(readout integrated circuits), 오버레이 버니어 키(overlay vernier key) 및 얼라인먼트 키(alignment key) 정보를 포함하는 제 1 레티클을 이용하여 상기 단일칩 영역의 테두리를 스티칭 공정에 의하여 복수의 제 1 샷으로 노광하는 단계 및 상기 기판의 적어도 일면 상에, 픽셀 및 로우 드라이버(low driver) 정보를 포함하는 제 2 레티클을 이용하여 상기 단일칩 영역 중 테두리를 제외한 나머지 영역을 스티칭 공정에 의하여 복수의 제 2 샷으로 노광하는 단계를 포함하는, CMOS기반의 단일칩을 이용한 X-선 검출기 또는 영상센서 및 그 제조방법을 제공한다.
