A silicon detector for X-ray imaging is based on multiple semiconductor detector modules (A) arranged together to form an overall detector region, wherein each semiconductor detector module is comprised of an x-ray sensor of crystalline silicon, The line sensor is edge-on oriented for incident x-rays and interacts through photoelectric effects and compton scattering in the x-ray sensor and produces incident x-ray energy between 40 keV and 250 keV To an integrated circuit for registration of the x-rays that interact with the x-ray source, to provide spatial and energy information from these interactions so as to obtain an image of the object. In addition, anti-scatter modules (B) are sandwiched between at least some sets of semiconductor detector modules to at least partially absorb the compton scattered x-rays.X-선 영상화용 실리콘 디텍터는 전체 디텍터 영역을 형성하기 위해 함께 배열된 다중 반도체 디텍터 모듈들(A)에 기초하며, 여기서 각 반도체 디텍터 모듈은 결정질 실리콘의 x-선 센서로 구성되며, 이 x-선 센서는 입사하는 x-선에 대해 엣지-온(edge-on) 배향되고, 상기 x-선 센서에서 광전 효과 및 콤프턴 산란을 통해 상호 작용하고 40 keV 및 250 keV 사이의 입사 x-선 에너지에 대해 상호 작용하는 x-선들의 등록을 위한 집적 회로에 결합되어, 이들 상호작용으로부터 공간 및 에너지 정보를 제공하여 사물의 이미지를 얻을 수 있도록 한다. 또한, 산란 제거 모듈(anti-scatter modules； B)은 콤프턴 산란된 x-선을 적어도 부분적으로 흡수하기 위하여 반도체 디텍터 모듈의 적어도 일부 세트 사이에 끼워 넣어진다.
