The silicon imaging detector tile 216 comprises a silicon light-sensor layer 302 comprising a plurality of detector pixels 304 each having a photo-transistor 406 and a light-sensor layer 302 for each of the plurality of photo- And a silicon electronic device layer (314) coupled to the silicon light-sensor layer, which includes a high-frequency converter and a bias control device (404). The method includes sensing a dark current in a photo-transistor of a detector pixel of a silicon photo-sensor layer of an imaging detector and applying a bias current to the current-to-frequency converter of the silicon electronic device layer coupled to the silicon photo- Adjusting an amount of the transmitted dark current, and converting the amount of dark current transferred to the current-to-frequency converter by the current-to-frequency converter.실리콘 이미징 검출기 타일(216)은 각각 광-트랜지스터(406)를 갖는 복수의 검출기 픽셀들(304)을 포함하는 실리콘 광-센서 층(302)과, 상기 복수의 광-트랜지스터의 각각에 대해 전류-대-주파수 변환기 및 바이어스 제어 소자(404)를 포함하는, 상기 실리콘 광-센서 층에 연결된, 실리콘 전자장치 층(314)을 포함한다. 방법은 이미징 검출기의 실리콘 광-센서 층의 검출기 픽셀의 광-트랜지스터로 암 전류를 감지하고, 바이어스 제어 소자로, 상기 실리콘 광-센서 층에 결합된 실리콘 전자장치 층의 전류-대-주파수 변환기에 전송된 암 전류의 양을 조정하고, 상기 전류-대-주파수 변환기로 상기 전류-대-주파수 변환기에 전송된 암 전류의 양을 변환하는 것을 포함한다.
