ÉLÉMENT DE RÉCEPTION DE LUMIÈRE, ÉLÉMENT D'IMAGERIE ET DISPOSITIF D'IMAGERIE

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专利权人:

NIKON CORPORATION;NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY;国立研究開発法人産業技術総合研究所;株式会社ニコン

发明人:

IKEHARA Yuzuru,池原譲,OGURA Mutsuo,小倉睦郎,IKEHARA Sanae,池原早苗,MIYAMOTO Kenji,宮本健司,IWASAKI Yutaka,岩崎豊

申请号：

JPJP2019/022169

公开号：

WO2019/239962A1

申请日:

2019.06.04

申请国别(地区):

JP

年份:

2019

代理人:

摘要：

This light receiving element comprises: a substrate； and a light absorption layer containing InGaAs placed on the substrate. When the composition ratio of the As in the InGaAs is 50 at%, the composition ratio (at%) of the In and the Ga in the InGaAs is 30.8:19.2.L'invention concerne un élément de réception de lumière comprenant : un substrat ； et une couche d'absorption de lumière contenant de l'InGaAs placé sur le substrat. Lorsque le rapport de composition de l'As dans l'InGaAs est de 50 % atomique, le rapport de composition (% atomique) de l'In et du Ga dans l'InGaAs est de 30,8 : 19,2.この受光素子は、基板と、基板に配置されＩｎＧａＡｓを含む光吸収層とを備える。ＩｎＧａＡｓにおけるＡｓの組成比が５０ａｔ％の場合、ＩｎＧａＡｓにおけるＩｎとＧａとの組成比（ａｔ％）は３０．８：１９．２である。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/