This light receiving element comprises: a substrate； and a light absorption layer containing InGaAs placed on the substrate. When the composition ratio of the As in the InGaAs is 50 at%, the composition ratio (at%) of the In and the Ga in the InGaAs is 30.8:19.2.L'invention concerne un élément de réception de lumière comprenant : un substrat ； et une couche d'absorption de lumière contenant de l'InGaAs placé sur le substrat. Lorsque le rapport de composition de l'As dans l'InGaAs est de 50 % atomique, le rapport de composition (% atomique) de l'In et du Ga dans l'InGaAs est de 30,8 : 19,2.この受光素子は、基板と、基板に配置されＩｎＧａＡｓを含む光吸収層とを備える。ＩｎＧａＡｓにおけるＡｓの組成比が５０ａｔ％の場合、ＩｎＧａＡｓにおけるＩｎとＧａとの組成比（ａｔ％）は３０．８：１９．２である。
