The disclosure is directed at a method and apparatus for producing a detector element. The detector element includes first and second electrodes located on opposites sides of a semiconductor layer. The first and second electrodes are staggered with respect to each other in a plane perpendicular to the semiconductor layer.La présente invention concerne un procédé et un appareil de production d'un élément de détection. L'élément de détection comprend des première et seconde électrodes situées sur des côtés opposés d'une couche semi-conductrice. Les première et seconde électrodes sont décalées l'une par rapport à l'autre dans un plan perpendiculaire à la couche semi-conductrice.
