一种负磁导率超材料及MRI磁信号增强器件
- 专利权人:
- 深圳光启创新技术有限公司
- 发明人:
- 刘若鹏,栾林,郭洁,刘豫青
- 申请号：
- CN201210052074.0
- 公开号：
- CN103296464A
- 申请日:
- 2012.03.01
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2013
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供一种负磁导率超材料及MRI磁信号增强器件，负磁导率超材料超材料包括基板以及固定在基板上的人造微结构层，人造微结构层由多个周期性阵列排布的人造微结构组成，人造微结构是由一根导电材料的折线等间距嵌套而成的三角螺绕环。采用本发明可以有效降低超材料磁导率为负的谐振频率，满足一些特殊条件下对负磁导率值的要求，超材料呈各向异性，另外，基于上述具有负磁导率的超材料，本发明在MRI磁信号增强器件中具有较大应用。本发明对于超材料产业的发展具有重要意义。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
