The electronic device may comprise a first electronic module, a second electronic module, and a sealed electrical interconnect for hermetically coupling them. The sealed electrical interconnect includes a bottom metal layer, a bottom insulating layer deposited on the bottom metal layer to insulate the bottom metal layer, and deposited on the bottom insulating layer and forms a bottom seal ring The interconnect metal layer deposited and still interconnect metal layer is patterned to form an electrical connection between the contact pads and to form a central seal ring, and the interconnect metal layer A patterned upper insulating layer deposited on the interconnect metal layer to insulate the connecting metal layer, and the patterned upper insulating layer is patterned to form a through hole, and An upper metal layer deposited on the upper insulating layer to initiate contact formation by filling the through hole, wherein the upper metal layer does not form the contact through the through hole. Completed Forming a separate barrier layer, and is patterned to complete the formation of the upper seal ring.電子デバイスが、第１の電子モジュール、第２の電子モジュール、及びそれらを気密的に結合するための密封式電気的相互接続部を備え得る。密封式電気的相互接続部は、底部金属層と、底部金属層を絶縁するために底部金属層上に堆積された底部絶縁層と、底部絶縁層上に堆積され、かつ底部シールリングを形成するために堆積された相互接続金属層と、なお相互接続金属層は、コンタクトパッド間に電気的接続部を形成するように、かつ中央シールリングを形成するようにパターン形成されており、また、相互接続金属層を絶縁するように相互接続金属層上に堆積されたパターン形成された上部絶縁層と、なおパターン形成された上部絶縁層は貫通孔を形成するようにパターン形成されており、また、貫通孔を充填することにより接触子の形成を開始するように上部絶縁層上に堆積された上部金属層と、を含むことがあり、なお上部金属層は、貫通孔を通る接触子の形成を完了し、分離したバリア層を形成し、かつ上部シールリングの形成を完了するようにパターン形成される。
