离子注入诱导花卉试管内成花的方法

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专利权人:

天津农学院

发明人:

张磊,王震星,刘玉芹,孙宁,桂枝

申请号：

CN200410094108.8

公开号：

CN1631087A

申请日:

2004.12.30

申请国别(地区):

中国

年份:

2005

代理人:

肖莉丽

摘要：

本发明公开了一种离子注入诱导花卉试管内成花的方法，旨在提供一种利用离子注入技术使不同花卉的生长发育过程完全在试管培养条件下进行，无论在任何季节都能开花，且花期长的花卉试管内成花的方法。它包括下述步骤：离子注入的步骤；种子灭菌处理的步骤；种子培养的步骤；继代分化促花培养的步骤。其中注入离子为P离子，所用电流为2～6μA，注入能量为90～120keV，注入剂量为0.5×10¹⁴～2×10¹⁷/cm²。培养温度为25℃±2℃，光照强度为2000～3000LX，光照长度为10～14h/天。种子培养基为在MS基本培养基或MS改良培养基中加入细胞分裂素0.3～0.8mg/L、生长素0.1～0.5mg/L、碳源10～30g/L、固形剂6.0～8.0g/L，pH值为5.5－6.5。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/