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互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片中的超声换能器及相关装置和方法
专利权人:
蝴蝶网络有限公司
发明人:
乔纳森·M·罗思伯格,基思·G·菲费,内华达·J·桑切斯,苏珊·A·阿列
申请号:
CN201580025730.X
公开号:
CN106659464B
申请日:
2015.17.04
申请国别(地区):
CN
年份:
2020
代理人:
摘要:
描述了形成在互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片中的微加工超声换能器,以及制造这种装置的方法。可以通过牺牲释放来去除CMOS晶片的金属化层,以产生超声换能器的腔。剩余层可以形成超声换能器的膜。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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