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サファイア単結晶育成用坩堝およびサファイア単結晶育成方法
专利权人:
株式会社アライドマテリアル
发明人:
田賀 大,星 聖一,横山 博
申请号:
JP20140528748
公开号:
JPWO2014148156(A1)
申请日:
2014.02.13
申请国别(地区):
日本
年份:
2017
代理人:
摘要:
本発明の課題は、溶解したサファイアへの坩堝成分の混入を抑制可能な構造のサファイア単結晶育成用坩堝を提供することにある。本発明のサファイア単結晶育成用坩堝1は、モリブデンまたはタングステン、もしくはモリブデンとタングステンの合金と不可避不純物で構成され、円筒部3と、円筒部3の一方の端部にR部5を介して一体となって設けられた平底7を有する円筒状である。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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