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ｎ型シリコン半導体を使用した太陽電池モジュールのＰＩＤ対策太陽電池モジュール
- 专利权人:
- 日清紡メカトロニクス株式会社;ポリプラスチックス株式会社
- 发明人:
- 仲濱 秀斉,高木 靖史,芹澤 肇,國本 栄起
- 申请号：
- JP20150125540
- 公开号：
- JP2017011116(A)
- 申请日:
- 2015.06.23
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】太陽電池モジュールのカバーガラスから放出されるアルカリ金属イオンのバリア性に優れ、かつ耐熱性、耐光性に優れる太陽電池用ＰＩＤ対策フィルム及びそれを用いたＰＩＤ対策太陽電池モジュールを提供する。【解決手段】カバーガラス１１、封止フィルム１８、環状オレフィン系樹脂フィルム１４、ｎ型シリコンセル１５、バックシート１２を有しているスーパー・ストレート構造の太陽電池モジュール１００において、カバーガラス１１全面とｎ型シリコンセル１５直列回路との間に−１０００Vの電圧を１０００時間加えた後の発電性能が、前記電圧を加える前の９８％以上に保持される太陽電池モジュール。【選択図】図１
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
