一种氮化氧化膜的制备方法
- 专利权人:
- 中国科学院微电子中心
- 发明人:
- 徐秋霞,侯瑞兵,高文方,韩郑生
- 申请号：
- CN02147232.7
- 公开号：
- CN1404113A
- 申请日:
- 2002.10.18
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2003
- 代理人:
- 周长兴
- 摘要：
- 一种氮化氧化膜的制备方法，将氮离子注入到硅衬底中再氧化。步骤为：在完成隔离的硅片上清洗后生长注前氧化膜，然后对有源区进行14N+注入；漂净注前氧化膜；清洗后用HF/IPA/H2O室温下浸泡，去离子水冲洗，甩干立即进炉；大流量N2保护下550℃进舟，慢推，大流量N2保护；升温至700－900℃，N2恒温；同一温度下，N2/O2＝5∶1气氛氧化，氧化时间1－120分钟；N2气氛，700－900℃退火，15－60分钟；N2保护下降温至550℃，再在大流量N2保护下慢拉出舟；化学汽相沉积(LPCVD)多晶硅：温度620℃，压力0.2乇，SiH4200sccm，Ar800sccm。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
