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一种氮化氧化膜的制备方法
专利权人:
中国科学院微电子中心
发明人:
徐秋霞,侯瑞兵,高文方,韩郑生
申请号:
CN02147232.7
公开号:
CN1178282C
申请日:
2002.10.18
申请国别(地区):
中国
年份:
2004
代理人:
周长兴
摘要:
一种氮化氧化膜的制备方法,将氮离子注入到硅衬底中再氧化。步骤为:在完成隔离的硅片上清洗后生长注前氧化膜,然后对有源区进行14N+注入;漂净注前氧化膜;清洗后用HF/IPA/H2O室温下浸泡,去离子水冲洗,甩干立即进炉;大流量N2保护下550℃进舟,慢推,大流量N2保护;升温至700-900℃,N2恒温;同一温度下,N2/O2=5∶1气氛氧化,氧化时间1-120分钟;N2气氛,700-900℃退火,15-60分钟;N2保护下降温至550℃,再在大流量N2保护下慢拉出舟;化学汽相沉积(LPCVD)多晶硅:温度620℃,压力0.2乇,SiH4200sccm,Ar800sccm。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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