一种氮化氧化膜的制备方法

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专利权人:

中国科学院微电子中心

发明人:

徐秋霞,侯瑞兵,高文方,韩郑生

申请号：

CN02147232.7

公开号：

CN1178282C

申请日:

2002.10.18

申请国别(地区):

中国

年份:

2004

代理人:

周长兴

摘要：

一种氮化氧化膜的制备方法，将氮离子注入到硅衬底中再氧化。步骤为：在完成隔离的硅片上清洗后生长注前氧化膜，然后对有源区进行¹⁴N⁺注入；漂净注前氧化膜；清洗后用HF/IPA/H₂O室温下浸泡，去离子水冲洗，甩干立即进炉；大流量N₂保护下550℃进舟，慢推，大流量N₂保护；升温至700－900℃，N₂恒温；同一温度下，N₂/O₂＝5∶1气氛氧化，氧化时间1－120分钟；N₂气氛，700－900℃退火，15－60分钟；N₂保护下降温至550℃，再在大流量N₂保护下慢拉出舟；化学汽相沉积(LPCVD)多晶硅：温度620℃，压力0.2乇，SiH₄200sccm，Ar800sccm。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/