具有体接触的并联场效应晶体管结构
- 专利权人:
- 国际商业机器公司
- 发明人:
- J·D·沃诺克,G·E·史密斯三世
- 申请号：
- CN200680008519.8
- 公开号：
- CN101142679A
- 申请日:
- 2006.04.13
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2008
- 代理人:
- 王茂华
- 摘要：
- 通过与第一或者主场效应晶体管(“FET”)(620)电并联放置的一个或者多个第二FET(632)，将第一FET(620)与至其的体接触分隔开。以此方式，第一FET(620)的主体可以延伸至由第二FET(632)占有的区域中，以允许对第一FET(620)主体进行接触。在一个实施例中，第一FET(620)的栅极导体和第二FET(632)的栅极导体是单块导电图形的整体部分。将单块导电图形制作得如期望的一样小，并且将其制作成与位于集成电路之上的栅极导体的最小预定线宽一样小，所述集成电路包括体接触的FET。以此方式，可以保持面积和寄生电容较小。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
