一种原位检测直接带隙Al_xGa_1－xAs分子束外延薄膜材料组分方法和装置

• 收藏
• 分享

专利权人:

中国科学院上海技术物理研究所

发明人:

陆卫,刘兴权,穆耀明,杜捷,查访星,乔怡敏,史国良,严立平,欧海疆,万明芳,陈效双,吴小平,沈学础

申请号：

CN96116505.7

公开号：

CN1088190C

申请日:

1996.09.12

申请国别(地区):

中国

年份:

2002

代理人:

高毓秋

摘要：

本发明提供了一种在超高真空条件下非接触式的原位Al_xGa_1-xAs组分检测技术，它把分子束外延系统的超高真空条件，与调制光谱系统有机地结合起来，形成了一个测量Al_xGa_1-xAs薄膜Al组分的准确有效的方法，本发明介绍了该系统的结构，包括光路结构与分子束外延系统的结合，及测量控制系统与数据采集系统，在硬件及软件上形成一整套完善的系统，尤其适宜于对超薄层及对有多层复杂结构的Al_xGa_1-xAs生长过程中在位组分检测。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/