容量性クロストーク減少のための金属−半導体接触部をもつ微細加工の超音波トランスジューサ装置

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专利权人:

フジフィルム ディマティックス， インコーポレイテッド

发明人:

ハジャティ アルマン,ラテヴ ディミトレ,ガードナー ディーン,ロウ フン−ファイ スティーブン

申请号：

JP20150556969

公开号：

JP6273297(B2)

申请日:

2014.01.30

申请国别(地区):

日本

年份:

2018

代理人:

摘要：

Embodiments reduce capacitive cross-talk between micromachined ultrasonic transducer (MUT) arrays through grounding of the substrate over which the arrays are fabricated. In embodiments, a metal-semiconductor contact is formed to a semiconductor device layer of a substrate and coupled to a ground plane common to a first electrode of the transducer elements to suppress capacitive coupling of signal lines connected to a second electrode of the transducer elements.

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/