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Titanhaltiges Substrat oder Titanimplantat mit äußerem, titandioxidhaltigen Bereich
专利权人:
TU Darmstadt
发明人:
Wolfgang Ensinger,Stephan Flege,Ruriko Hatada,Koumer Baba
申请号:
DE102014011972
公开号:
DE102014011972A1
申请日:
2014.08.15
申请国别(地区):
DE
年份:
2016
代理人:
摘要:
Die vorliegende Erfindung betrifft titanhaltige Substrate z. B. Titanimplantate, die mit einem äußeren Anatas-Bereich versehen werden.Der äußere titandioxidhaltige Bereich weist hierbei einen stetigen Sauerstoffgradienten im Übergang von dem titanhaltigen Substrat zum äußeren titandioxidhaltigen Bereich auf. Der äußere titandioxidhaltige Bereich wird dabei bevorzugt durch ein Kohlenstoff-Ionenimplantationsverfahren mit anschließender Oxidation an Luft als Teil der Oberfläche des titanhaltigen Substrates hergestellt. Dabei geht der titanhaltige Bereich kontinuierlich in den titandioxidhaltigen Bereich über.The present invention relates to the titanium-containing substrates, for example, titanium implants, which, with an outer anatase - region are provided.The outer titanium dioxide containing region has, in this case, a continuous oxygen gradient in the transition from the titanium-containing substrate to the outer region on the side of the titanium dioxide-containing. The outer titanium dioxide containing region is in this case preferably by means of a carbon - ion implantation method with subsequent oxidation of air as part of the surface of the titanium-containing substrate produced. In this case, the titanium-containing region continuously in the titanium dioxide-containing area via.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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