BATIO3, SRTIO3, ET BAXSR1-XTIO3 FORMÉS PAR CROISSANCE HYDROTHERMIQUE SUR DES COUCHES DE NANOTUBES DE TIO2 POUR CONDENSATEURS À TRÈS HAUTE DENSITÉ DE CHARGE
THE UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.;THE UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION; INC.;KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE
发明人:
KIM, Kyoung, Tae,YOON, Yong-Kyu,KIM, Dongsu
申请号：
USUS2016/067965
公开号：
WO2017/112742A1
申请日:
2016.12.21
申请国别(地区):
US
年份:
2017
代理人:
摘要：
Various examples are provided for hydrothermally grown BaTi03, SrTi03, and BaxSr1-xTi03 on Ti02 nanotube layers, which can be used in ultra-high charge density capacitors. In one example, a method includes forming a first anodized titanium oxide (ATO) layer on a layer of titanium by anodization, the first ATO layer having a nanotubular morphology； removing the first ATO layer from the layer of titanium； forming a second ATO layer having a nanotubular morphology on the layer of titanium by anodization； and hydrothermally growing a layer of MTi03 on a surface of the second ATO layer, where M is Ba, Sr, or BaxSr1-x. In another example, an ultra-high density charge capacitor includes a first electrode layer； an ATO layer disposed on the first electrode layer； a layer of MTi03 on a surface of the ATO layer； and a second electrode layer disposed on the layer of MTi03.L'invention concerne divers exemples de BaTiO3, SrTiO3 et BaxSr1-xTiO3 formés par croissance hydrothermique sur des couches de nanotubes de TiO2, qui peuvent être utilisés dans des condensateurs à très haute densité de charge. Dans un exemple, un procédé consiste à former une première couche d'oxyde de titane anodisé (OTA) sur une couche de titane par anodisation, la première couche d'OTA présentant une morphologie nanotubulaire ； à retirer la première couche d'OTA de la couche de titane ； à former une seconde couche d'OTA présentant une morphologie nanotubulaire sur la couche de titane par anodisation ； et à faire croître de manière hydrothermique une couche de MTiO3 sur une surface de la seconde couche d'OTA, M représentant Ba, Sr, ou BaxSr1-x. Dans un autre exemple, un condensateur à très haute densité de charge comprend une première couche d'électrode ； une couche d'OTA disposée sur la première couche d'électrode ； une couche de MTiO3 sur une surface de la couche d'OTA ； et une seconde couche d'électrode disposée sur la couche de MTiO3.
