The present invention relates to a method for manufacturing a drug-loaded dental implant, comprising the steps of: forming a TiO2 nanotube array by primarily anodizing titanium metal or titanium alloy by using an electrolyte containing fluorine (F) removing the TiO2 nanotube array formed on the surface of the titanium metal or titanium alloy by ultrasonification forming a TiO2 nanotube array by secondarily anodizing the titanium metal or titanium alloy of the surface, from which TiO2 nanotube array has been removed, by using the electrolyte containing fluorine (F) and loading a drug into the TiO2 nanotube array formed from the secondary anodization. According to the present invention, a dental implant having high bone to implant contact (BIC) ratio and bone volume ratio can be manufactured.La présente invention concerne un procédé de fabrication dun implant dentaire chargé de médicament, comprenant les étapes consistant à : former un réseau de nanotubes de TiO2 par anodisation principalement de métal de titane ou dalliage de titane à laide dun électrolyte contenant du fluor (F) enlever le réseau de nanotubes de TiO2 formé sur la surface du métal de titane ou de lalliage de titane par lutilisation dultrasons former un réseau de nanotubes de TiO2 secondairement par anodisation de métal de titane ou dalliage de titane de la surface, à partir de quoi le réseau de nanotubes de TiO2 a été enlevé, en utilisant lélectrolyte contenant du fluor (F) et le chargement dun médicament dans le réseau de nanotubes de TiO2 formé à partir de lanodisation secondaire. Selon la présente invention, un implant dentaire ayant un rapport de contact élevé de los à limplant (BIC) et un taux élevé de volume osseux peut être fabriqué.본 발명은, 불소(F)를 포함하는 전해액을 사용하여 티타늄 금속 또는 티타늄 합금을 제1 양극산화하여 TiO2 나노튜브 어레이를 형성하는 단계와, 상기 티타늄 금속 또는 티타늄 합금의 표면에 형성된 상기 TiO2 나노튜브 어레이를 초음파 처리하여 제거하는 단계와, 상기 TiO2 나노튜브 어레이가 제거된 표면의 티타늄 금속 또는 티타늄 합금에 대하여 불소(F)를 포함하는 전해액을 사용하여 제2 양극산화하여 TiO2 나노튜브 어레이를 형성하는 단계 및 상기 제2 양극산화에 의
