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超音波診断装置
专利权人:
HITACHI; LTD.
发明人:
HISATSU, Masanori,久津将則
申请号:
JPJP2017/012832
公开号:
WO2018/012048A1
申请日:
2017.03.29
申请国别(地区):
WO
年份:
2018
代理人:
摘要:
The purpose of the present invention is to improve precision of Doppler measurement when a sample gate is set at a position deeper than a reference depth. A region called a subgate is generated at a position having a depth equal to the depth of the sample gate minus the reference depth (the depth to which an ultrasonic pulse travels out and back in one repetition period). The pulse Doppler device, while receiving ultrasonic waves to be measured which are produced by reflection at the sample gate, forms an ultrasonic beam in which extraneous ultrasonic waves produced by reflection at the subgate are attenuated. Specifically, a reception focus point for a received beam is set at the sample gate and a reception attenuation point for the received beam is set at the subgate through a process executed by a phasing weighting unit 24. The phasing weighting unit 24 outputs a synthesized signal synthesized so as to strengthen a detection signal based on ultrasonic waves reflected at the reception focus point and to weaken a detection signal based on ultrasonic waves reflected at the reception attenuation point.Lobjectif de la présente invention est daméliorer la précision dune mesure Doppler lorsquune porte déchantillonnage est réglée à une position plus profonde quune profondeur de référence. Une région appelée sous-porte est générée à une position ayant une profondeur égale à la profondeur de la porte déchantillonnage moins la profondeur de référence (la profondeur à laquelle une impulsion ultrasonore se déplace vers lextérieur et vers larrière dans une période de répétition). Le dispositif Doppler à impulsions, tout en recevant des ondes ultrasonores à mesurer qui sont produites par réflexion au niveau de la porte déchantillonnage, forme un faisceau ultrasonore dans lequel des ondes ultrasoniques extérieures produites par réflexion au niveau de la sous-porte sont atténuées. Spécifiquement, un point de foyer de réception pour un faisceau reçu est défini au niveau de la port
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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