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電流逆注入を防ぐために状態検知中に抵抗性メモリ検知入力を減結合するための制御回路を用いるセンス増幅器及び関連する方法並びにシステム
专利权人:
クゥアルコム・インコーポレイテッドQUALCOMM INCORPORATED
发明人:
ウ、ウェンキン,ナラヤナン、ベンカタスブラマニアン,イェン、ケンドリック・ホイ・ロン
申请号:
JP20160544505
公开号:
JP2017501524(A)
申请日:
2015.01.05
申请国别(地区):
日本
年份:
2017
代理人:
摘要:
電流逆注入を防ぐために状態検知中に抵抗性メモリ検知入力を減結合するための制御回路を用いるセンス増幅器、及び関連する方法とシステムが開示される。一実施形態では、センス増幅器が提供される。センス増幅器は、ビット線に結合された差動検知入力を備える。センス増幅器はまた、基準線に結合された差動基準入力を備える。第1のインバータは、第1のインバータ入力を、第2のインバータの第2のインバータ入力に結合された第1のインバータ出力へと反転し、この第1のインバータ出力は、ビットセルの状態を提供するように構成される。第2のインバータは、第2のインバータ入力を、第1のインバータ入力に結合された第2のインバータ出力へと反転する。制御回路は、ラッチモードでは、第1のインバータに差動基準入力を及び第2の
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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