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一种金属支架表面改性方法
专利权人:
西南交通大学
发明人:
冷永祥,陈赏,谢东,黄楠
申请号:
CN201410133352.4
公开号:
CN103924202A
申请日:
2014.04.03
申请国别(地区):
CN
年份:
2014
代理人:
摘要:
本发明涉及一种金属支架表面改性方法,属于金属表面改性技术领域。该方法有效利用高功率脉冲磁控溅射技术在金属支架表面沉积钛/氧化钛薄膜。其步骤为:首先,将金属支架放入高功率脉冲磁控溅射设备的真空室中,真空室抽真空至0.5×10-3Pa~2×10-3Pa;向真空室内通入氩气,溅射清洗金属支架及靶材;向真空室内通入氩气,通过调节溅射电压幅值、频率、脉宽、溅射气压及基体偏压等参数,运用高功率脉冲磁控溅射技术在金属支架表面制备高结合力的钛过渡层;最后,向真空室内通入氩气和氧气,通过调节溅射电压幅值、频率、脉宽、溅射气压及基体偏压等参数,在钛过渡层上制备结合紧密的氧化钛薄膜。主要用于金属支架的表面改性。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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