一种TiN-Ag纳米复合涂层及其制备方法与应用
- 专利权人:
- 天津师范大学
- 发明人:
- 李德军,许双志,董磊,顾汉卿,万荣欣
- 申请号：
- CN201610278260.4
- 公开号：
- CN105862001B
- 申请日:
- 2016.29.04
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种TiN‑Ag纳米复合涂层及其制备方法与应用。它是由磁控共溅射沉积得到的复合薄膜,溅射过程中溅射过程中保持一定的基底温度,获得的厚度在0.5um~1um之间。通过实验调节制备过程的基底负偏压,得到的TiN‑Ag纳米复合涂层相比基底硬度提高明显,Ag元素均匀分布在TiN膜中,接触角明显低于没有掺杂Ag的TiN薄膜,亲水性好,并且细胞相容性得到提高,有望用于改善钛合金在生物医学上的应用。本发明所述的方法形成的材料结构稳定,方法可重复,制备条件可控。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
